AEC-Q104对大规模集成电路芯片IC的可靠性测试可细分为:加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验,且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。华碧实验室将根据客户的要求,依据标准对客户的IC进行评估,出具合理的认证方案,从而助力企业IC的可靠性认证。
成功完成根据本文件各要点需要的测试结果,那么将允许供应商声称他们的零件通过了AEC-Q104认证。供应商与客户协商,可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些,但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了AEC-Q104 认证。
AEC-Q104认证测试:提供全面的认证计划、测试、报告等服务。
认证测试地点:上海实验室、苏州实验室
华碧实验室芯片测试能力:
芯片可靠性验证
芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ;
高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ;
温度循环试验(TC), JESD22-A104 ;
温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ;
高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110;
高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108;
芯片静电测试:
人体放电模式测试(HBM), JS001 ;
元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ;
闩锁测试(LU), JESD78 ;
芯片IC失效分析:
光学检查(VI/OM) ;
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs);
OBIRCH ;
Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB) ;
弹坑试验(cratering) ;
芯片开封(decap) ;
芯片去层(delayer);
晶格缺陷试验(化学法);
PN结染色 / 码染色试验;
推拉力测试(WBP/WBS);
红墨水试验;
PCBA切片分析(X-section);
芯片材料分析:
高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF);
SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD);
Raman (Raman光谱);
AFM (微观表面形貌分析、台阶测量);
AEC-Q试验后元器件失效分析项目:
① 形貌分析技术:体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
② 成分检测技术:X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱。
③ 电分析技术:I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
④ 开封制样技术:化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
⑤ 缺陷定位技术:液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。
华碧实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例,积累了丰富的认证试验经验,可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。杨工