KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
常见的工艺应用 | 简称 |
In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 | PC |
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性
- Surface polishing or smoothing 表面抛光
- Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
- Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
- Ion trimming and tuning 离子表面优化
- Surface activated bonding | IBSM
SAB |
Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 | IBAD |
Ion Beam Etching 离子蚀刻
- Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻 | IBE
RIBE
CAIBE |
Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射 | IBSD
RIBSD
BTIBSD |
Direct Deposition 直接沉积
- Hard and functional coatings 硬质和功能膜 | DD |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
| 精密薄膜控制
薄膜为若干单层膜 |
| 半导体
可重复使用的金属涂层附着力 |
| 蚀刻晶元
刻蚀均匀性和临界几何尺寸 |
| M, 传感器和显示器
表面优化
|
| 精密光学
薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低 |
| 磁数据存储
金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀 |